氮化镓/硅纳米异质结构阵列新型近红外发光二极管研究

项目名称： 氮化镓/硅纳米异质结构阵列新型近红外发光二极管研究

项目编号： No.61176044

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 李新建

作者单位： 郑州大学

项目金额： 64万元

中文摘要： 近年来，随着近红外技术尤其是近红外光谱技术的快速发展，人们对近红外光源提出了更高要求。近红外发光二极管（NIR LED）因其体积小、功耗低、性能高、寿命长等优点而成为新一代近红外光源的主导技术。申请者从半导体异质结的发光原理出发，首次提出通过能带匹配调制或选择异质结中载流子的辐射复合途径，并利用构成异质结的两种半导体的导带-价带差，可以使载流子在异质结界面实现近红外辐射复合发光的器件设计思想，并在前期预研中通过构造GaN/Si纳米异质结构阵列获得了发光波长～830 nm、带宽小于18 nm的红外光发射。本项目拟在前期研究基础上，通过对GaN/Si纳米异质结构阵列的可控制备，对其光致/电致发光特性、伏-安特性、电-光转换特性、近红外发光波长调制、带宽等特性展开研究，建立相应的物理机制与模型，最终为高性能NIR LED的研制提供一种新的器件设计理念和材料选择思路。

中文关键词： 近红外发光二极管；氮化镓；硅纳米孔柱阵列；纳米异质结构；界面调控

英文摘要：

英文关键词： Near infrared light-emitting diode；gallium nitride；silicon nanoporous pillar array；nanoheterostructure；interface controlling