基于氧化物半导体纳米线肖特基势垒的新型光电子器件研究

项目名称： 基于氧化物半导体纳米线肖特基势垒的新型光电子器件研究

项目编号： No.60906056

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 程纲

作者单位： 河南大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 本项目主要从势垒结构和表面态两个方面来研究ZnO、CuO等氧化物半导体纳米线肖特基势垒的光电输运特性及其调控方法，以此为基础，发展新型、高性能的肖特基势垒光电子器件。在势垒结构方面，通过研究局域光照下纳米线肖特基势垒的光电流特性、以及势垒在偏压状态下的电流像和电势像，并结合有限元计算方法，建立势垒结构的在位表征和分析手段，深入揭示势垒结构对整流、光电流等特性的控制；利用导电探针对纳米线肖特基势垒施加局域电场，探索基于电场来调控势垒结构和势垒输运特性的方法及其物理机制，发展新型的三端逻辑和运算器件。在表面态方面，通过研究在脉冲光、脉冲电压作用下O2在纳米线表面的吸附和脱附行为，探索O2吸附和脱附的微观机制与过程，深入揭示O2对纳米线的表面态和肖特基势垒高度产生影响和控制的物理机制；将光、电两种调控表面态的手段相结合，发展高速、多逻辑值的光电开关和光电存储器集成阵列等新型肖特基势垒器件。

中文关键词： 氧化物纳米线；肖特基势垒；势垒结构；表面态；光电器件

英文摘要：

英文关键词： oxide nanowires；Schottky barrier；barrier structure；surface states；(opto)electronic devices