高质量InSb纳米线的分子束外延生长，微结构及输运特性研究

项目名称： 高质量InSb纳米线的分子束外延生长，微结构及输运特性研究

项目编号： No.61376015

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 陈平平

作者单位： 中国科学院上海技术物理研究所

项目金额： 86万元

中文摘要： 近几年来，III-V半导体纳米线材料由于其在半导体光电器件（半导体探测器，激光器以及场效应晶体管等）领域的很强应用前景受到广泛关注，目前已经能制备高质量的GaAs，InAs等纳米线，并制备相关的器件。而由于InSb 体材料有很窄的禁带宽度（0.17ev），很小的有效质量，很高的电子迁移和大的朗德因子，InSb纳米线有望在红外探测器件和新型半导体量子器件中有广泛应用。 但是目前InSb纳米线的生长技术很不成熟 ，如何制备高质量的InSb纳米线材料是一挑战。本课题将通过各种工艺的探索，利用分子束外延技术生长高质量的InSb基半导体纳米线和异质结。并实现InSb基纳米线阵列的有序生长。细致研究InSb基纳米线材料的微结构和生长机制，为实现高质量InSb纳米线的可控生长奠定基础。 另外对InSb 基纳米线的输运特性作深入分析，并初步研制红外探测器件。为制备新型光电探测器及新型的量子器件提供基

中文关键词： 分子束外延；InSb；纳米线；微结构；输运特性

英文摘要： In recent years, III-V semiconductor nanowire materials attracts widespread attention due to their strong application in the field of semiconductor optoelectronic devices ( such as semiconductor detectors, laser and field effect transistors, etc.). High-q

英文关键词： molecular beam epitxay；InSb；nanowire；microstructure；transport properties