II-VI族纳米同质结可控制备及其光电子器件的研究

项目名称： II-VI族纳米同质结可控制备及其光电子器件的研究

项目编号： No.51172151

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 揭建胜

作者单位： 苏州大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 纳米PN结是纳米光电子器件的核心，其中同质结的研究尤为重要。II-VI族非氧化物纳米结构虽具有优良光电性质，但由于在互补掺杂、PN结制备、器件集成等方面的困难，其纳米同质结的研究仍相对滞后，阻碍了其应用的进程。本项目拟以器件应用为导向，系统开展ZnSe、ZnS等宽禁带准一维半导体纳米同质结的制备及光电子器件研究。在前期的工作基础上，以器件表征指导合成工艺的优化，实现可控P、N型掺杂，进而以原位多步生长、滑蹭法纳米线交叠等改进的PN结制备工艺，制备具有轴向、径向、交叠等多种结构的纳米同质结，建立同质结结构与性能的关系。通过预先排布同质结实现器件工艺简化，以光刻等低成本技术构筑纳米同质结光电子器件，并结合阵列式同质结生长以及定向、定位排布，探索器件组装与集成的可能途径。本项目的开展，对于促进II-VI族纳米材料在纳米光电子领域中的应用具有重要意义。

中文关键词： PN结；II-VI纳米结构；表面电荷转移掺杂；同质结；

英文摘要：

英文关键词： PN junction；II-VI nanostructures；surface charge transfer doping；homojunction；