高压、超低功耗的易集成SOI功率器件机理与新结构研究

项目名称： 高压、超低功耗的易集成SOI功率器件机理与新结构研究

项目编号： No.61176069

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 罗小蓉

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 70万元

中文摘要： SOI功率集成的关键技术是实现高压、低功耗以及高、低压之间隔离。为此，进行以下创新研究：提出高压、超低功耗、器件尺寸缩小且易于集成的槽型SOI MOSFET并研究其机理。该器件具有嵌入漂移区的介质槽和纵向延伸至埋氧层的槽栅。①介质槽引起多维度耗尽，使电场重构并增强RESURF(reduced surface field)效应，从而提高耐压和漂移区浓度；②介质槽使漂移区沿纵向折叠，缩小器件面积，降低比导通电阻和功耗，并增加开关速度；③延伸的栅槽扩展纵向导电区，进一步降低导通电阻；④将提出的器件用于高压集成电路，延伸的栅槽同时作为高/低压单元间的介质隔离槽，简化隔离工艺、降低成本。新型SOI MOSFET的耐压较相同尺寸的常规SOI LDMOS可提高1倍，且比导通电阻降20%- 30%；或相同耐压，器件横向尺寸降为50%。项目拟研制新型SOI MOSFET,并将其用于设计的高压驱动集成电路。

中文关键词： SOI；低功耗；比导通电阻；击穿电压；隔离

英文摘要：

英文关键词： SOI；power dissipation；specific on-resistance；breakdown voltage；isolation