项目名称: 高压、超低功耗的易集成SOI功率器件机理与新结构研究

项目编号: No.61176069

项目类型: 面上项目

立项/批准年度: 2012

项目学科: 信息四处

项目作者: 罗小蓉

作者单位: 电子科技大学

项目金额: 70万元

中文摘要: SOI功率集成的关键技术是实现高压、低功耗以及高、低压之间隔离。为此,进行以下创新研究:提出高压、超低功耗、器件尺寸缩小且易于集成的槽型SOI MOSFET并研究其机理。该器件具有嵌入漂移区的介质槽和纵向延伸至埋氧层的槽栅。①介质槽引起多维度耗尽,使电场重构并增强RESURF(reduced surface field)效应,从而提高耐压和漂移区浓度;②介质槽使漂移区沿纵向折叠,缩小器件面积,降低比导通电阻和功耗,并增加开关速度;③延伸的栅槽扩展纵向导电区,进一步降低导通电阻;④将提出的器件用于高压集成电路,延伸的栅槽同时作为高/低压单元间的介质隔离槽,简化隔离工艺、降低成本。新型SOI MOSFET的耐压较相同尺寸的常规SOI LDMOS可提高1倍,且比导通电阻降20%- 30%;或相同耐压,器件横向尺寸降为50%。项目拟研制新型SOI MOSFET,并将其用于设计的高压驱动集成电路。

中文关键词: SOI;低功耗;比导通电阻;击穿电压;隔离

英文摘要:

英文关键词: SOI;power dissipation;specific on-resistance;breakdown voltage;isolation

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