基于错误感知的闪存存储系统性能和寿命优化技术研究

项目名称： 基于错误感知的闪存存储系统性能和寿命优化技术研究

项目编号： No.61402059

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 石亮

作者单位： 重庆大学

项目金额： 27万元

中文摘要： 闪存作为目前发展最为广泛的存储设备具有诸多优点，比如随机访问性能好、功耗低、无振动以及尺寸小等特点。然而，闪存仍然存在两个主要问题，写性能较差和寿命有限，导致闪存的进一步发展和新型应用受到严重阻碍。另一方面，随着闪存密度和尺寸的改进，写性能和寿命呈现指数下降趋势。优化闪存写性能和寿命成为闪存发展至关重要的研究课题。本项目将从闪存性能和寿命的深层次原因，闪存错误，研究如何从控制器和应用程序访问特征两个角度改善闪存存储系统的性能和寿命。首先根据闪存错误源特征，构建以闪存性能和寿命为优化目标的闪存错误模型，为闪存错误感知研究提供基础框架。然后在此基础上开展基于控制器的闪存错误感知研究和基于应用程序特征的闪存错误优化研究，最终达到闪存性能和寿命优化的目标。本项目的成果将为闪存存储设备在嵌入式系统、个人计算机甚至高性能计算机中的性能和寿命优化提供新思路，为各类闪存存储设备的广泛应用提供技术支撑。

中文关键词： 闪存；可靠性；底密度稀疏矩阵；性能；寿命

英文摘要： Flash memory has been widely used in storage systems, such as embedded systems, personal computers and even data centers. As storage devices, flash memory has many advantages, including high random access performance, low power consumption, shock resistan

英文关键词： flash memory；reliability；LDPC；performance；lifetime