项目名称: 高性能非晶氧化锌/碳纳米管复合薄膜晶体管研制及射频特性研究
项目编号: No.61376085
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2013
项目学科: 无线电电子学、电信技术
项目作者: 李金钗
作者单位: 武汉大学
项目金额: 80万元
中文摘要: 近年来,将薄膜晶体管集成电路制备在玻璃或者塑料基底上组装成新型射频器件,从而取代硅基芯片,因此单个薄膜晶体管的性能对于射频电路来说至关重要。而现有的薄膜晶体管材料,如有机半导体、非晶硅、多晶硅和非晶氧化物等迁移率都不是很高,限制了射频器件工作频率的提高。为了研究这一个问题,本项目拟采用溶胶凝胶方法研制大面积均匀非晶氧化锌/碳纳米管复合薄膜作为半导体沟道层以制备高性能薄膜晶体管。着重研究高介电材料和半导体薄膜材料的界面,改善金属电极和薄膜的接触界面,以及器件的输运机制;期望研制出载流子迁移率达到200 cm2/Vs,工作电压小于2 V和亚阈值斜率小于150 mV/dec的顶栅薄膜晶体管。在此基础上,构筑高性能环形振荡器件(频率达到10 MHz)和高速单管射频器件 (工作截止频率达到100 MHz以上),为进一步制备大面积薄膜场效应晶体管及相应射频器件,并将之推向实用化提供技术支持。
中文关键词: 金属氧化物;薄膜晶体管;碳纳米管;射频;
英文摘要: Recently, radio frequency identification could be made of thin film transistors on glass or flexible plastic instead of Silicon-based devices, therefore, the performance of single thin film transistor is a key point for high speed radio frequency circuit.
英文关键词: Metal Oxide;Thin film transistors;carbon nanotubes;Radio frequency;