准二维晶体的气相外延生长与器件研究

项目名称： 准二维晶体的气相外延生长与器件研究

项目编号： No.21173004

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 彭海琳

作者单位： 北京大学

项目金额： 61万元

中文摘要： 准二维晶体材料与器件是一个科学内涵丰富、应用前景广阔的新领域。以石墨烯为代表的准二维晶体展示了许多新奇行为和优异的物理化学性质，可以用来发展新型的纳电子器件和光电功能器件。本项目将开展新型准二维晶体材料与器件的研究。提出利用范德华外延法生长准二维晶体的新思路，并发展准二维晶体的气相外延生长的普适性制备方法，实现大面积高质量的准二维晶体的控制生长；构筑纳米器件，发展原位技术，集多种表征和测量技术为一体，研究准二维晶体中的结构与器件性能之间的构效关系；利用掺杂、化学修饰及外场作用调控准二维晶体的能带结构和输运性能，阐明在外场作用下准二维晶体中能量或/和电荷传递规律；并开展基于准二维晶体的新型纳电子器件和光电功能器件的研制及其应用探索研究。

中文关键词： 准二维晶体；石墨烯；拓扑绝缘体；纳电子器件；光电器件

英文摘要：

英文关键词： quasi-two-dimensional crystals；graphene；topological insulator；nanoelectronic devices；optoelectronic devices