La基稀土高介电系数(k)栅介质材料的同步辐射研究

项目名称： La基稀土高介电系数(k)栅介质材料的同步辐射研究

项目编号： No.10974191

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 戚泽明

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 40万元

中文摘要： MOS 晶体管进入纳米尺度后，传统的SiO2 栅介质材料由于大的漏电流越来越不能适应器件继续小型化的要求，必须采用新的高k 材料来代替SiO2，已有的候选材料在性能上的差距，导致探寻新高k 材料的任务不仅越来越迫切，而且富有挑战。La基稀土高k材料由于其较高的介电系数和大的带隙等优点成为具有前景的候选材料，但其作为高k材料的基本物性研究还相当缺乏。因此，从基本物理性质的角度对其影响器件性能的结构、电子结构和带偏移、缺陷、界面、介电性质等进行系统和细致的研究非常必要和紧迫。本项目充分发挥同步辐射在材料研究方面的优势，利用相关同步辐射实验方法（如远红外谱、光电子能谱、X-ray吸收谱和X-ray衍射等），对La基稀土高k 栅介质材料的结构、界面、缺陷、带偏移和介电性质的关系进行系统的研究，深入理解其高介电特性的机制,为提高现有材料的性能，探寻新高k材料提供重要的物理依据。

中文关键词： 高介电栅介质材料；薄膜生长；介电系数；同步辐射；

英文摘要：

英文关键词： High dielectric materials；thin film growth；dielectric constant；synchrotron radiation；