GaAs基InAsGaSb红外光电阴极材料研究

项目名称： GaAs基InAsGaSb红外光电阴极材料研究

项目编号： No.61176006

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 汪韬

作者单位： 中国科学院西安光学精密机械研究所

项目金额： 65万元

中文摘要： 理论设计并实验研究一种全新的红外阴极材料结构，采用III-V 族化合物GaAs基InAsGaSb作为复合式红外阴极，改变目前红外条纹变像管只能响应1.7微米以下光波的局面，提升红外条纹变像管工作的光谱范围到2微米以上。理论与实验研究相结合，兼顾量子效率与响应速度，通过建立较为完善的物理数值模型，设计优化红外光电阴极参数。在GaAs衬底上外延生长InAsGaSb 红外阴极结构；引入量子阱结构和势垒增强层，提高量子效率同时降低暗电流。采用现有成熟变像管管型，优化阴极表面Cs-O激活技术提高表面光电子发射效率，降低阴极的室温暗电流小于1nA/cm2。

中文关键词： 红外；光阴极；GaSb；GaAs；

英文摘要：

英文关键词： infrared；cathod；GaSb；GaAs；