源区致电离辐射对电子器件中子辐射效应影响机制研究

项目名称： 源区致电离辐射对电子器件中子辐射效应影响机制研究

项目编号： No.11235008

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 陈伟

作者单位： 西北核技术研究所

项目金额： 300万元

中文摘要： 电子元器件的辐射效应研究是一门涉及核物理和半导体物理等方面的交叉学科，在空间和国防领域中受到广泛关注。γ射线存在于核爆炸和反应堆的中子辐射环境中，由于γ电离辐射与中子位移损伤效应的相互作用，电子器件在实际环境中的辐射效应在某些情况下不是两项辐射效应的简单叠加。本项目以不同工艺单管和集成电路作为研究对象，提出双极器件亚表面区能带弯曲理论，研究电离总剂量效应对位移损伤效应的影响过程；提出单项辐射效应电路级耦合机制，研究集成电路单元间的耦合作用对整体电路参数的影响；提出氧化物空位驻留理论，研究中子在氧化层内产生缺陷对电离辐射效应电子空穴漂移过程的影响因素。通过数值模拟和实验验证，研究综合辐射效应的物理机理。掌握元器件致电离辐射下中子辐射效应与器件结构的关系，对致电离辐射下中子辐射效应给出科学合理的解释，为我国电子元器件抗辐射加固设计和评价提供理论依据，促进抗辐射加固技术向更高层次、更高水发展。

中文关键词： 中子导致的位移损伤；电离总剂量效应；协和效应；双极器件；MOS器件

英文摘要： Radiation effect research on electronic devices is a new subject involves nuclear science and semiconductor physics, which is wildly concerned by space and military aspect. Gamma ray exists in neutron radiation environment prodived by nuclear explosion or

英文关键词： Neutron induced displacement damage；total ionizing dose effect；synergistic effect；bipolar devices；MOS devices