项目名称: 基于黑硅材料的高效太阳电池研究
项目编号: No.60976046
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2010
项目学科: 自动化技术、计算机技术
项目作者: 韩培德
作者单位: 中国科学院半导体研究所
项目金额: 50万元
中文摘要: 黑硅是一种新型的表面微纳结构材料,它是在SF6等硫系元素环境中,通过超快脉冲激光辅助化学腐蚀Si表面,自组装成众多微米尺度的晶锥。这种晶锥具有光子陷阱作用,使入射光的反射趋近于零;同时,硫系元素在Si表层的非平衡高浓度掺杂,形成了局域态叠加的深能级子带,导致了三级或多级光吸收,使黑硅对整个太阳光谱具有90%以上的吸收率。这种高的光吸收对提升电池的光电转换效率有着直接的推动作用,而高效太阳电池对减少矿物能源消耗、降低污染排放、保护绿色环境都有着极其重要的意义。本课题主要涉及激光与Si表面作用,涉及黑硅表层显微结构、光学吸收特性、电学特性的表征与分析,涉及深能级位置和浓度、杂质激活率、缓变型PN结等基础特性研究;涉及黑硅太阳电池的器件结构设计、载流子产生、分离、输运和收集的机理研究;涉及电子束退火、离子束注入和粗糙表面电极制备等工艺组合,以及短路电流、开路电压和转换效率的测试分析。
中文关键词: 黑硅光伏电池;富硫系元素硅层;过饱和掺杂;光电响应;晶硅光伏电池
英文摘要:
英文关键词: Black silicon solar cell;chalcogen-rich silicon layer;Supersaturation doping;Opto-electron responce;Silicon solar cell