氧化铟基铁磁性半导体外延薄膜的磁结构与垂直膜面磁各向异性

项目名称： 氧化铟基铁磁性半导体外延薄膜的磁结构与垂直膜面磁各向异性

项目编号： No.60976073

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 陈延学

作者单位： 山东大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 过渡族元素掺杂的氧化铟薄膜呈现出良好光学、电学及室温铁磁性，最近我们在Fe:In2O3薄膜中观测到了高居里温度（927K）和室温强垂直膜面磁各向异性。但是，对于其高温铁磁性及强垂直膜面磁各向异性形成机制和影响因素我们还知之甚少。本项目中我们计划利用激光分子束外延技术制备氧化铟基铁磁性半导体外延薄膜，并对薄膜中的磁性离子微观分布、氧空位浓度、载流子浓度、应力大小、薄膜取向等进行调控，研究薄膜磁性能随这些因素的变化规律。探索得到影响材料磁结构与垂直膜面磁各向异性的主要因素及影响规律，实现对其电性能、磁性能特别是垂直膜面磁各向异性的有效调控。

中文关键词： 氧化铟；磁性半导体；磁各向异性；自旋电子学；

英文摘要：

英文关键词： In2O3；magnetic semiconductor；magnetic anisotropy；spintronics；