新型自旋记忆电阻磁隧道结的制备及其输运特性的研究

项目名称： 新型自旋记忆电阻磁隧道结的制备及其输运特性的研究

项目编号： No.11374187

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 田玉峰

作者单位： 山东大学

项目金额： 89万元

中文摘要： 集磁电阻和电致电阻于一体的多功能自旋电子器件，有望在同一器件中实现逻辑、运算与存储等多项功能，受到了全世界的广泛关注。然而要同时实现巨大的磁电阻和电致电阻，在材料和器件方面都面临着巨大的挑战。本项目将在我们前期研究磁性隧道结的隧穿磁电阻的基础上，(1)制备出室温下同时具有大的隧穿磁电阻和大的电致电阻的Co/CoO-ZnO/Co自旋记忆电阻器件，实现既能用磁场控制，又能用电场控制的电阻多重态；（2）研究由绝缘的CoO反铁磁层和富有氧空位的ZnO半导体层构成的CoO-ZnO复合势垒层能够同时产生隧穿磁电阻和电致电阻的机理；（3）研究电场作用下氧空位在CoO-ZnO之间的移动，揭示CoO-ZnO复合绝缘层发生金属-绝缘体转变的本质；（4）探索氧化物磁性隧道结中有效调控磁性、磁电阻和电致电阻的原理和方法。本项目制备的自旋记忆电阻器件在高密度多态存储和人造神经元方面具有巨大的应用前景。

中文关键词： 磁电阻；电致电阻；整流磁电阻；磁性隧道结；自旋

英文摘要： Spin memristor with multiple resistance states, which is obtained by combining the magnetoresistance and resistance switching effects, has become one of the emerging reasearching fields of spintronics because of their potential capability to intergrate lo

英文关键词： magnetoresistance；resistance switching；rectification magnetoresistance；magnetic tunnel junctions；spin