ZnO基稀磁半导体异质结电阻变换、磁性及其耦合研究

项目名称： ZnO基稀磁半导体异质结电阻变换、磁性及其耦合研究

项目编号： No.11364018

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 胡诚

作者单位： 湖北民族学院

项目金额： 52万元

中文摘要： 电阻变换效应在下一代不挥发性阻变存储器中具有巨大的应用前景。开展稀磁半导体的电阻变换效应、磁性及其耦合的研究，具有重要的科学意义与应用价值。本项目拟采用磁控溅射法制备ZnO基稀磁半导体薄膜与金属电极，构筑电极/氧化物薄膜/电极结构的器件原型。研究薄膜的制备条件、薄膜厚度、元素掺杂以及衬底选择、电极材料、器件结构等对电阻变换性能、磁性的影响规律；研究电阻变换与脉冲电压的关系，实现电场对电阻的有效调控以获得多级阻变性能；研究阻变对磁性、磁场对阻变的影响，探索阻变与磁性的耦合规律与机理。在此基础上，深入理解电阻变换与稀磁半导体磁性的机制，为有可能的阻变/磁性器件的应用提供前期的研究基础与技术支持。

中文关键词： 电阻变换；磁电耦合；氧离子移动；载流子束缚/解束缚；

英文摘要： Resistive switching effect has potential application for future generation nonvolatile resistive random access memory. It is of scientific importance and application potential to study resistive switching, magnetic and their coupling effect in diluted mag

英文关键词： resistive switching；Magnetoelectric coupling；Oxygen ion migration；Carrier trapping/detrapping；