过渡金属氧化物晶态薄膜微观结构调控及其电阻记忆性能研究

项目名称： 过渡金属氧化物晶态薄膜微观结构调控及其电阻记忆性能研究

项目编号： No.90922026

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 李效民

作者单位： 中国科学院上海硅酸盐研究所

项目金额： 50万元

中文摘要： 采用脉冲激光沉积法，磁控溅射，电子束蒸发和热氧化等方法，制备具有不同结晶度、晶粒尺寸、结晶取向、微观缺陷等材料学特征的过渡金属氧化物薄膜材料，研究薄膜微观晶态结构对电阻记忆性能的影响规律。通过薄膜材料的磁、热、光和电等宏观物理性能的表征，建立薄膜微观结构和功能基元（如相结构、电子能带结构、界面畴结构和极化子等）与电阻记忆性能的联系，深入探讨电阻记忆性能的物理机制。通过对制备与后处理条件的实时监控，实现薄膜微结构的设计与可控制备。在此基础上，优化过渡金属氧化物薄膜材料与电极的组合方式，为电阻式随机存储器（RRAM）的研究开发提供理论基础和实验数据。 RRAM型高速、高密度、低能耗非挥发性存储器，有望取代闪存技术，在高速增长的移动电话、数码（摄）相机等民生电子产品方面具有广阔的应用前景。

中文关键词： 电阻式随机存储器；电阻转变薄膜材料；过渡金属氧化物；；

英文摘要：

英文关键词： Reistive Random Access Memory；resistive switching films；transition metal oxide；；