片上多核处理器硅后验证关键技术研究

项目名称： 片上多核处理器硅后验证关键技术研究

项目编号： No.61173001

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 计算机科学学科

项目作者： 沈海华

作者单位： 中国科学院大学

项目金额： 58万元

中文摘要： 以片上多核处理器为代表的现代大规模复杂设计都面临着因各种问题导致的芯片多次流片问题，对处理器硅后验证提出了巨大的挑战。当前大规模集成电路硅后验证问题在国内外都是一个令人困扰的难题。本项目就片上多核处理器硅后验证中的科学问题及其技术方法开展深入研究，通过硅后验证可调试性设计技术、支持CMP的硅后错误重放技术、支持CMP的硅后测试向量生成技术、支持CMP的正确性检测技术、支持CMP的测试向量精简技术、硅后随机验证技术、硅后覆盖率度量技术、硅后验证提高芯片耐受性技术、以及验证状态空间裁剪技术等一系列关键技术和方法的研究，解决目前片上多核处理器硅后验证中存在的困难及面临的科学问题，并将研究成果融入和实现在验证工具平台上，所实现的工具和平台将在验证科学领域达到国际先进水平，在实践上可以满足国内低成本设计验证环境下片上多核处理器硅后验证的需求，并直接应用于国产片上多核处理器硅后验证的实践。

中文关键词： 片上多核处理器；硅后验证；调试；覆盖率；断言

英文摘要：

英文关键词： chip multiprocessors；post-silicon validation；debug；coverage；assertion