应变对GaN基半导体异质结构输运和自旋性质的影响

项目名称： 应变对GaN基半导体异质结构输运和自旋性质的影响

项目编号： No.61376095

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 唐宁

作者单位： 北京大学

项目金额： 80万元

中文摘要： GaN基半导体异质结构具有很大的能带偏移，很强的自发和压电极化，较长的自旋驰豫时间和高于室温的居里温度，是发展高温高频高功率电子器件和自旋电子学器件的优选材料。本申请项目根据当前国际上半导体低维物理和宽禁带半导体材料、器件研究的发展趋势，以探索强极化体系GaN基材料中的物理性质和变化规律、发展GaN基半导体异质结构器件为目标，以强磁场、超低温磁阻测量和自旋光电流测量为主要测量手段，利用流体静压力和单轴应力装置开展应力和应变下GaN基半导体材料的输运和自旋性质研究，内容涉及高质量GaN基异质结构材料的金属有机化学气相淀积生长和材料微结构表征，强应力和应变、强极化电场下二维电子气的输运性质和本征自旋性质等。本项目申请人及所在的课题组近年来一直从事与该领域相关的研究工作，取得了一批富有特色的研究成果并积累了经验。本项目的研究目标和内容均处于当前国际上半导体低维物理和半导体自旋电子学的前沿领域。

中文关键词： GaN基异质结构；外延生长；自旋；应力；

英文摘要： GaN-based semiconductor is a new low-dimensional semiconductor material system with large band offset, strong polarization-induced electric field, long spin coherence time and high Curie temperature. It has significant applications in high temperature, hi

英文关键词： GaN-based heterostructures；epitaxial growth；spin；strain；