结型场板横向功率器件机理与新结构研究

项目名称： 结型场板横向功率器件机理与新结构研究

项目编号： No.61376079

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 罗小蓉

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 功率器件的关键是实现高压BV和低比导通电阻Ron，但Ron随BV的2.5次方增加。为此，进行以下创新研究：1.提出结型场板横向功率器件新结构，揭示其提高BV和降低Ron的机理。结型场板突破金属场板和电阻场板提升耐压的极限，且显著降低Ron。该技术普适于横向和纵向功率器件。器件机理：① 横向变掺杂的结型场板内电场均匀分布，其耦合作用使器件漂移区电场横向趋于均匀，提高BV；②结型场板(的P区)对N漂移区纵向耗尽，降低Ron，并增强纵向电场；③结型场板的结势垒克服电阻场板泄漏电流高的缺陷。④P衬底中的N埋层调制高、低压两端的体电场，扩展衬底耗尽区，改善BV。相比常规LDMOS，BV提高40%且Ron降低30%。2.基于结型场板的二维电场调制效应，求解特殊边界条件的泊松方程，建立结型场板功率器件的耐压解析模型，为结型场板器件提供普适的设计指导。3.研制结型场板LDMOS。项目具有创新性和实用价值。

中文关键词： 结型场板；比导通电阻；击穿电压；LDMOS；泄漏电流

英文摘要： The high breakdown voltage(BV) and low specific on-resistance (Ron)are critical factors for power devices. However, the Ron increases with BV to the 2.5 power,leading to a rapid increase in power comsumption. To address this problem, we have performed the

英文关键词： Junction field plate(JFP)；Specific on resistance；Breakdown voltage；LDMOS；Leakage current