基于p-GaN/i-MgO/n-MgxZn1-xO异质结构波长可调的紫外光发射器件研究

项目名称： 基于p-GaN/i-MgO/n-MgxZn1-xO异质结构波长可调的紫外光发射器件研究

项目编号： No.60907016

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 徐海阳

作者单位： 东北师范大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 本课题拟采用等离子体辅助脉冲激光沉积技术在p-GaN (0001)面上外延生长<111>取向的超薄MgO层，利用MgO (111)面与MgZnO (0001)面的晶格匹配性，在MgO上外延生长组分可控、单相、高质量MgZnO合金薄膜，构建p-GaN/i-MgO/n-MgZnO异质结光发射器件；实现基于MgZnO有源层波长可调的紫外电注入发光和激射器件。引入<111> i-MgO层是课题的重要创新之一，它既作为电子势垒层，将载流子的辐射复合限域在MgZnO层中；又是在p-GaN (0001)衬底上生长高质量<0001> n-MgZnO外延薄膜的缓冲层，从而有效抑制异质结界面处高密度缺陷的产生，降低无辐射复合中心，提高器件的发光效率。 本工作有助于解决由于缺少高质量p型ZnO而难于获得ZnO同质结强紫外发射的困难，并将器件发射向更短波段推进，是光电子信息领域的前沿课题。

中文关键词： 氧化锌基材料；异质结构；紫外光发射器件；；

英文摘要：

英文关键词： ZnO-based Materials；Heterostructures；UV Light-Emitting Devices；；