HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究

项目名称： HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究

项目编号： No.61176070

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 张玉明

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 74万元

中文摘要： 高功率SiC基器件的普及，能有效降低能量损失，促进能源节约型社会的建设。为适应高功率SiC MOSFETs器件发展，用高介电常数材料来替代现有的SiO2栅氧化层势在必行。本项目在现有SiO2/SiC MOSFETs和high-k材料/SiC MOS电容的研究基础上，采用理论和实验相结合的方法，研究适合4H-SiC MOSFETs的HfAlO为栅的结构，揭示Hf、Al 、O组分变化与界面电学特性的变化规律，提出HfAlO/4H-SiC界面特性优化方法；建立HfAlO/4H-SiC MOSFETs二维器件模型，揭示器件的输运特性和载流子的散射规律，得到器件的结构参数，研制出高电子迁移率的新型高功率HfAlO/4H-SiC MOSFETs原型。本项目从新的角度寻找适合SiC MOSFETs的栅介质材料并应用器件制备，有望促进4H-SiC高功率MOSFETs的发展，为克服瓶颈提供新的研究思路和方向

中文关键词： 4H-SiC；高K；界面态；漏电机制；U槽栅

英文摘要：

英文关键词： 4H-SiC；High K；Interface State Density；Leakage Current Mechanism；U Trench Gate