脉冲激光沉积法层状IGZO薄膜的外延有序排列和载流子传输调控

项目名称： 脉冲激光沉积法层状IGZO薄膜的外延有序排列和载流子传输调控

项目编号： No.61404082

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张霞

作者单位： 上海工程技术大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 以结晶取向(0001)IGZO(In-Ga-Zn-O)为代表的金属氧化物薄膜晶体管 (TFT)正受到全世界学者的高度关注。层状IGZO薄膜的外延有序排列，指IGZO薄膜不仅在c轴(0001)方向结晶，而且在 ab面内遵循规则的正六边形排列。为实现几近完美晶体结构的层状外延IGZO薄膜，获得高载流子迁移率、大幅度提升TFT稳定性，采用脉冲激光沉积法对IGZO薄膜结晶过程充分诱导和原位监测，揭示IGZO薄膜c轴层状生长和ab面内有序的关键性调控机制、并对IGZO薄膜结晶程度定量化，实现对IGZO薄膜光谱性能、载流子输运性能的控制，建立IGZO薄膜的外延生长和TFT器件阈值电压、开关比以及稳定性的优选关系。通过层状IGZO薄膜的外延有序生长、载流子传输控制、TFT器件稳定性提升等方面探索，将会对高分辨率智能手机、大尺寸三维显示、柔性显示、透明显示等高端应用具有重要的基础研究价值和开创性启发意义。

中文关键词： 薄膜；ZnO；复合材料；Si；DNA detection

英文摘要： Crystalline (0001) oriented IGZO (In-Ga-Zn-O) based thin film transistors (TFTs), representative of metal oxide TFTs, have attracted great attention worldwide due to their potentials in commercialization of relevant novel displays. The epitaxial orderly a

英文关键词： thin films；ZnO；composites；Si；DNA detection