项目名称: 多畴铁电薄膜畴结构与铁电性能的相场法研究
项目编号: No.11172252
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2012
项目学科: 数理科学和化学
项目作者: 周志东
作者单位: 厦门大学
项目金额: 58万元
中文摘要: Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)铁电薄膜具有轻质、高介电和压电性等优点,成为现代微电子工业的理想材料。但随着材料厚度减小,铁电材料的介电和压电性能明显降低,限制了铁电薄膜的应用。本项目首先求解铁电薄膜-弹性基体双材料界面位错的应力应变场,并结合Landau-Devonshire方程确定界面位错生成的临界厚度。针对不同厚度的薄膜,结合Cahn-Hilliard相分离和微结构演化相场方程构建PZT铁电薄膜普适的相场分析方法。数值模拟不同条件下稳定的铁电畴结构,系统建立铁电薄膜的相图,进而探讨铁电性能与成分、厚度、错配应变和温度的依赖关系。通过物理和化学的方法在不同基体上制备不同厚度的铁电薄膜,采用各种实验观测和测试方法,分析薄膜的微结构、畴结构和铁电性能,为理论和模拟提供验证。目的在于阐明PZT铁电薄膜畴结构和铁电性能的影响因素,为PZT铁电薄膜的设计和制备提供科学依据。
中文关键词: 铁电薄膜;畴结构;相场法;屈曲变形;热释电体
英文摘要:
英文关键词: Ferroelectric films;Domain structures;Phase field method;Buckling;Pyroelectric materials