以带隙可调的Zn(O,S)梯度薄膜为缓层的CuInS2薄膜太阳能电池研究

项目名称： 以带隙可调的Zn(O,S)梯度薄膜为缓层的CuInS2薄膜太阳能电池研究

项目编号： No.50972041

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 何云斌

作者单位： 湖北大学

项目金额： 35万元

中文摘要： CuInS2（CIS）薄膜光伏电池当前研究热点之一是无"镉"（有毒）缓层的开发。本项目提出以环境友好、能隙可调的梯度Zn(O,S)薄膜取代CdS作为CIS电池缓层。基于ZnO1-xSx的晶格常数和禁带宽度均随S含量连续可调，而梯度Zn(O,S)薄膜系统具有S含量及分层厚度两个可调自由度的考虑, 本项目通过细致研究，确定层厚和S成分分布最佳的梯度Zn(O,S)薄膜缓层，以实现与CIS吸收层及ZnO窗口层在结晶学和电子学上的双重最佳匹配，从而优化异质结各界面，减少载流子的界面复合。同时从物理机制上探讨少数载流子复合的微观机制及其复合所在的区域和影响因素，并结合理论模拟(AMPD-1D)优化CIS薄膜太阳电池结构，提高电池光电转换效率。另外，本项目中电池所有膜层材料（Mo电极、CIS吸收层、Zn(O,S)缓层、ZnO窗口层）都在真空中用溅射法一步完成，简化了制备工艺，可大幅度降低电池制造成本。

中文关键词： CuInS2；graded-Zn(O;S)；缓冲层；太阳能电池；纳米线

英文摘要：

英文关键词： CuInS2；graded-Zn(O;S)；buffer layer；solar cell；nanowire