离子辐照调控碳化硅基外延石墨烯能带结构的研究

项目名称： 离子辐照调控碳化硅基外延石墨烯能带结构的研究

项目编号： No.11205096

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 赵金花

作者单位： 山东建筑大学

项目金额： 28万元

中文摘要： 本项目用离子辐照方法研究碳化硅（SiC）基外延石墨烯材料能带结构的可调控性，探讨离子辐照与石墨烯晶格的相互作用机制。通过离子辐照方法在外延石墨烯中引入缺陷调控电子带隙；在宽禁带半导体6H-SiC衬底上形成波导结构，并用辐照后的石墨烯调制其导模。离子辐照方法具有可控性等优点，已经成为用于材料改性方面的优选方案，选用离子辐照方式调控石墨烯的缺陷结构进而调控电子带隙是本项目的特色。电子带隙的可调性直接决定了半导体器件的性能及设计的灵活性，本项目的研究将为调控石墨烯带隙提供新方法。研究辐照后的石墨烯对波导导模的调制效果是一种新思路，可以拓宽石墨烯的应用领域。本项目的研究在电子学设计、太阳能电池及离子与固体相互作用领域均具有重要的应用前景。

中文关键词： 离子辐照；表面改性；石墨烯；；

英文摘要： In this project, we will research the regulation of energy band structure of epitaxial graphene on silicon carbide labeled 6H-SiC (0001) substrate by ion irradiation method. We will discuss the mechanism of ion irradiation graphene; open a band gap by ion

英文关键词： ion irradiation；surface modification；graphene；；