纳米尺度新型MOS器件的量子模型研究

项目名称： 纳米尺度新型MOS器件的量子模型研究

项目编号： No.60976067

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 王高峰

作者单位： 武汉大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 半导体工业的快速发展使MOS器件达到纳米尺度，逼近了硅基半导体器件的物理极限，出现了一系列严重影响器件性能的新现象和效应，为此需要在新型MOS器件中选用新材料，应用新结构。经典的MOS器件模型基于粒子图景的载流子输运理论，基于单晶能带结构有效质量近似，适用范围越来越小。 本课题组在前期工作中对新型MOS器件的建模进行了研究，考虑了纳米尺度下器件的量子效应，取得了一些算法和论文成果。课题组拟在此基础上，基于器件的能带结构和量子输运理论，发展新型MOS器件的物理模型，实现相应的快速数值算法，开发和完善包含量子效应的用于电路设计的集约模型。本课题充分利用科学计算、半导体物理、微电子学等各学科的进展，研究纳米尺度新型MOS器件的数值模型和集约模型，具有高度的理论指导意义和工程应用价值。

中文关键词： 数值模型；碳基器件；集约模型；互联线；纳米器件

英文摘要：

英文关键词： Numercial model；Carbon device；Compact model；Interconnect；Nano device