GaAs被动调Q的温度效应研究

项目名称： GaAs被动调Q的温度效应研究

项目编号： No.61405171

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 兰瑞君

作者单位： 烟台大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 被动调Q是获取纳秒脉冲激光器的有效手段，与主动调Q相比，被动调Q具有造价低廉、操作简便、参数设计灵活等优势。目前，1μm波段使用最为广泛的被动调Q饱和吸收体是Cr4+:YAG晶体，基于Cr4+:YAG晶体的被动调Q激光器已经产业化。半导体GaAs也是该波段优良的饱和吸收体，具有非线性系数高、光伤阈值高、物化性能稳定等优点，但所获取的脉冲序列稳定性往往较低。本人此前的研究表明GaAs温度的变化可以影响输出脉冲的稳定性及脉冲宽度。在高温条件下，双光子、载流子等非线性吸收方式的介入，使脉冲序列逐渐趋于稳定并伴随着脉冲缩短效应。本项目拟采用GaAs作为饱和吸收体，Nd:YAG晶体和掺钕钒酸盐混晶作为激光介质，深入研究温度对GaAs的脉冲输出性能的影响规律，对提升GaAs被动调Q激光器的性能具有重要意义。

中文关键词： 砷化镓；被动调Q；温度；双光子吸收；

英文摘要： Passive Q-switching is an efficient way to obtain nano-second pulsed lasers. Compared with active Q-switching, it possesses the advantages of low cost, easy operation and versatile parameters. So far, the most popular saturable absorber at 1 μm wavelength

英文关键词： GaAs；passively Q-switched；temperature；two-photon-absorption；