磁性薄膜材料平面霍尔效应的研究

项目名称： 磁性薄膜材料平面霍尔效应的研究

项目编号： No.51371025

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李明华

作者单位： 北京科技大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 平面霍尔效应（PHE）传感器具有低热漂移、线性度以及信噪比，且成本低，工艺简单，可以广泛应用在信息、电子、磁读写及自动控制等领域，尤其在生物传感器方向，比GMR和AMR更有优势。尽管做了大量的研究工作，但是PHE传感器进入实际应用还存在难题-灵敏度低且磁稳定性差。因此，必须采取适当的措施提高其灵敏度及磁稳定性。 本研究需要解决的科学性问题是： （1）如何控制微结构提高薄膜材料的PHE灵敏度？ （2）如何提高PHE薄膜的磁稳定性？其内在物理机制是什么？ 为了解决上述问题，我们提出（1）在传统的铁磁（FM）薄膜两边插入纳米氧化层（Al2O3、MgO等）和金属插层（Pt、Ir等），提高薄膜的PHE灵敏度。（2）在FM/纳米氧化层或金属插层结构的薄膜上沉积反铁磁层(AFM)，制备FM/插层/AFM多层膜，通过静磁耦合提高薄膜的磁稳定性。为制备具有高PHE灵敏度及磁稳定性的磁性薄膜材料打下基础。

中文关键词： 磁性薄膜；平面霍尔效应(PHE)；灵敏度；微结构；磁稳定性

英文摘要： Planar Hall Effect (PHE) sensors have the advantages of smaller thermal drift, easier to get linear response, higher signal-to-noise ratio, lower cost, more simple preparation process etc. They are widely used in the information technology, electronic te

英文关键词： magnetic films；Planar Hall Effect (PHE)；sensitivity；microstructure；magnetic stability