InGaAs/InP异质结构纳米线的生长与表征研究

项目名称： InGaAs/InP异质结构纳米线的生长与表征研究

项目编号： No.50972141

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 缪国庆

作者单位： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

项目金额： 38万元

中文摘要： 纳米材料在器件中的应用将对电子、信息领域产生深远的影响。一维纳米材料是纳米材料的一个重要分支，它既是研究其它低维材料的基础，又与纳米电子器件及微型传感器密切相关，在纳米器件、导线、开关、电路及光导纤维等方面具有巨大的应用潜力。本项目利用MOCVD技术生长InGaAs/InP异质结构纳米线，并对半导体异质结构纳米线的相关物理问题进行研究。采用预淀积铟纳米点作为纳米线的生长点，替代其它金属如金作催化剂，消除其它金属对半导体纳米线的影响作用。研究铟纳米点形成条件与半导体纳米线密度、尺寸的关系，为生长尺寸均匀半导体纳米线提供基础，实现半导体异质结构纳米线的可控生长。采用扫描电镜、透射电镜、拉曼散射、光致发光谱等手段对半导体纳米线性能进行表征。研究生长条件对异质结构纳米线性能的影响。探讨异质结构纳米线的结构与性能关系。为纳米材料的研究提供最基本的异质结构以及半导体纳米线的实际应用奠定良好材料基础。

中文关键词： 磷化铟；铟镓砷；自催化法；纳米线；金属有机化学气相沉积

英文摘要：

英文关键词： InP；InGaAs；Self-catalyzed；Nanowire；MOCVD