对532nm敏感的GaAlAs光电发射机理及其制备技术研究

项目名称： 对532nm敏感的GaAlAs光电发射机理及其制备技术研究

项目编号： No.61171042

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电子学与信息系统

项目作者： 常本康

作者单位： 南京理工大学

项目金额： 58万元

中文摘要： GaAlAs光电阴极采用Al组分和掺杂浓度由体内向表面逐渐降低的变组分变掺杂方法，形成从内到外的可变能带结构。通过控制内部的Al组分含量、掺杂浓度与GaAlAs层厚度，将表面的禁带宽度控制在2.33 eV，最终获得对532 nm敏感的GaAlAs光电发射材料。本项目利用第一性原理研究GaAlAs材料的能带结构设计，建立变组分变掺杂光电阴极量子效率模型，设计发射层的最佳光学结构，利用多信息量测试设备开展实验与验证研究，并和理论结果进行对比分析，不断优化材料设计，使制备的阴极在532 nm处量子效率达到25%以上，并开展窄带原型微光像增强器研究。本项目是对窄带响应GaAlAs光电阴极材料的一种探索，拟解决传统阴极材料响应波段宽、在532 nm处噪声大、灵敏度低、不能全天候使用的问题。对532 nm敏感的GaAlAs光电阴极对我国海洋探潜、海底通信、海底成像等领域具有广泛的应用前景。

中文关键词： 532 nm敏感；窄带响应；GaAlAs光电阴极；量子效率；制备工艺

英文摘要：

英文关键词： 532 nm sensitive；narrow-band response；GaAlAs photocathode；quantum efficiency；preparation technology