GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用

项目名称： GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用

项目编号： No.61376012

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 于彤军

作者单位： 北京大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 本项目针对氮化物材料的发光器件的基本问题和热点问题，以发展有效调制外延层中应力和降低位错密度的材料生长方法，完善晶体生长机制研究，发展基于横向异质外延结构的光传播控制方法，综合提高发光器件的发光效率和出光效率为目标，在纳米材料掩膜的异质衬底上、进行GaN 基材料的纳米异质外延MOCVD 生长及表面动力学研究、应力分析和缺陷行为观察，研究纳米成核过程和控制方法，进行光传输过程模拟和实验研究，以及异质结构和LED 器件制备及其电学和光学性质分析，明确GaN 纳米异质外延三维调节应力的机理和影响位错行为的机制，明确光在生长表面纳米周期性结构作用下的传播规律，优化纳米成核条件和空间排列结构，实现高效率发光器件。

中文关键词： 氮化镓；纳米异质外延生长；MOCVD；光导出；

英文摘要： Aiming at the principal issues of GaN-based LEDs, which is the efficiency increasing is being hindered by the high density dislocations and problem of light extraction by internal reflections, the goal of this project is to develop an effective technique

英文关键词： GaN；nano heteroepitaxy；MOCVD；light extraction；