HfAlOx介电薄膜d0铁磁性与介电性的集成可行性探究

项目名称： HfAlOx介电薄膜d0铁磁性与介电性的集成可行性探究

项目编号： No.10904124

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 邱晓燕

作者单位： 西南大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 最近,铪铝氧(HfAlOx)薄膜"d0铁磁性"的发现使得其成为独特的具有铁磁性的二元介电材料体系之一。本项目以探索HfAlOx薄膜"d0铁磁性"物理机制为主线，目标是探究在金属-氧化物-半导体（MOS）电容器结构中集成其"d0铁磁性"和介电性的可行性。主要研究内容如下：（1）从薄膜的界面微结构入手，通过研究薄膜制备工艺（薄膜制备方法与条件，后处理过程等）对薄膜"d0铁磁性"的影响，寻找决定薄膜铁磁性的关键因素；（2）构建合理的二元分子模型，利用第一原理计算HfAlOx材料体系的能态密度以及磁距和电荷分布，尝试从理论上解释其"d0铁磁性"来源。（3）在充分了解HfAlOx薄膜"d0铁磁性"的基础上，致力于寻找在同一个MOS电容器结构中薄膜既具有可观的饱和磁矩同时又保持良好介电性能的最优化制备条件，为其在场效应晶体管栅介质应用方面同时实现"双调控"（电调控和磁调控）提供实验佐证。

中文关键词： 缺陷诱导的铁磁性；界面微结构；界面反应；HfO2/HfAlOx薄膜；

英文摘要：

英文关键词： defect-induced magnetism；interface microstructure；interface reaction；HfO2/HfAlOx film；