外加静电场辅助生长p型掺杂氧化锌的理论与实验研究

项目名称： 外加静电场辅助生长p型掺杂氧化锌的理论与实验研究

项目编号： No.11404138

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 杨晓朋

作者单位： 济南大学

项目金额： 30万元

中文摘要： ZnO是一种重要的光电材料，如何实现稳定性好、掺杂浓度高的p型ZnO（p-ZnO）材料是其器件化应用的最大障碍。本项目基于大量调研、实验和理论模拟工作，首次提出采用外加静电场来降低受主缺陷形成能，改善p-ZnO时间稳定性和掺杂浓度的技术方案。 项目拟首先利用第一性原理模拟静电场对p-ZnO能带、原子/电子分布、态密度、缺陷存在状态及其形成能的影响，探索最佳静电场条件；进而采用脉冲激光沉积/激光烧蚀化学气相沉积（PLD/LACVD）技术，对比研究有无静电场辅助生长p-ZnO多晶薄膜/纳米线的生长行为，并结合变温Hall、变温荧光光谱、ZnO薄膜/纳米同质结器件I-V测试等p型掺杂表征手段，探索静电场在掺杂中的作用，旨在发展一种制备时间稳定性好的p-ZnO材料的新方法；实验规律与理论计算结合，最终阐明静电场降低ZnO中受主缺陷形成能、改善其p型掺杂品质的物理机制。

中文关键词： 氧化锌；脉冲激光沉积；晶体生长；P型掺杂；

英文摘要： ZnO is a very promising material for semiconductor device applications. However, the main hurdle to making zinc oxide devices has been getting stable, reliable p-type material with an excess of holes, or electron deficiencies. So far, many works have been

英文关键词： ZnO；Pulsed laser deposition；Crystal growth；P type doping；