高性能InP基长波长晶体管激光器的研究

项目名称： 高性能InP基长波长晶体管激光器的研究

项目编号： No.61274071

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 梁松

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 86万元

中文摘要： 晶体管激光器可以同时实现晶体管的电流控制功能以及激光器的光发射功能，具有多种优越特性，是一种有广泛潜在应用前景的新型光电子器件。目前，GaAs基短波长(1μm)晶体管激光器的研制比较成熟，相比之下，更适合于光纤通信系统应用的InP基长波长(1.5μm)晶体管激光器的发展却明显落后，还未实现室温工作。 本课题在课题组已开展的相关研究工作的基础上采用创新方法研制高性能npn型InP基晶体管激光器，主要研究内容包括InP基室温工作晶体管激光器的研制、InP基分布反馈（DFB）单模晶体管激光器的研制、InP基隧道结晶体管激光器的研制以及晶体管激光器基本特性探索四个方面。本课题的开展有利于保持国内InP基晶体管激光器研制在国际上的先进水平。

中文关键词： 晶体管激光器；InP；长波长；；

英文摘要： Transistor Laser (TL) has both the current control function of a transistor and the light emission function of a laser, which has a wide variety of potential applications. Up to now, room temperature operation of GaAs based TL has been achieved. The development of InP based TL, which emits at 1.5μm and thus is more suitable for optical fiber commutation system, however, is relatively slow. Base on related previous works of the applicants, high performance npn InP TL will be studied in this project with the following focused aspects: the fabrication of room temperature continuous work InP based TL; the fabrication of single mode DFB InP based TL; the fabrication of tunnel junction InP base TL; the study of the unique properties of TLs. The implement of this project will help to promote the practical application of InP based TL.

英文关键词： Transistor Laser；InP；long wavelength；；