单个囚禁冷却钙离子的磁场效应

项目名称： 单个囚禁冷却钙离子的磁场效应

项目编号： No.10874205

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 高克林

作者单位： 中国科学院武汉物理与数学研究所

项目金额： 52万元

中文摘要： 近年来，由于激光冷却、冷原子物理和锁模飞秒激光技术的发展，使进一步提高原子分子光谱的测量精度成为可能。囚禁冷却单个离子为精密谱和新一代原子光频标的研究提供了很好的原子体系。而在精密谱研究中，外界环境的效应是研究的重点，其中磁场的影响是至关重要的。在近期建立的单个囚禁冷却钙离子研究平台的基础上，我们提出通过对激光稳频和离子动力学的研究，优化单离子的囚禁信号；实现对三维磁场的补偿和精确控制，开展磁场大小和方向及激光偏振等对激光冷却和荧光信号影响的研究；测量离子光频跃迁的Zeeman谱；探索Hanle效应在囚禁离子精密谱中的应用等。从而探索测量和控制磁场的新方法，分析引起离子光频跃迁频移的磁场效应及克服方法，为提高单离子光频标的性能奠定基础。

中文关键词： 囚禁离子;激光冷却;磁场效应

英文摘要：

英文关键词：