高含量过渡金属元素的非晶Ge基磁性半导体的微结构、磁性和输运研究

项目名称： 高含量过渡金属元素的非晶Ge基磁性半导体的微结构、磁性和输运研究

项目编号： No.11174184

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 萧淑琴

作者单位： 山东大学

项目金额： 75万元

中文摘要： 在众多磁性半导体材料中，Ge基磁性半导体因与当前的半导体工艺兼容性好而成为备受关注的新型自旋电子材料。我们计划在前期Ge基磁性半导体研究的基础上，（1）制备出比GeMn和GeFe磁性半导体磁化强度大、居里温度高的Ge(Mn，H)和Ge(Fe,H)磁性半导体；（2）证实本来应该反铁磁耦合的两个最近邻Mn（或Fe）原子，会通过间隙H原子发生铁磁交换作用，从而提高磁化强度和居里温度；（3）利用同步辐射x射线光谱，从微结构和光谱两方面揭示Ge基磁性半导体的铁磁性起源；（4）实现对Ge基磁性半导体中自旋极化载流子浓度的调控，阐明Ge基磁性半导体在金属边导电区域的磁电阻和霍尔效应的机理，力争发现大的磁电阻或霍尔效应；（5）进一步认识样品微结构、铁磁性、自旋极化电荷的输运三者之间的密切关联。本课题将为新型Ge基磁性半导体和器件的研发提供材料基础和理论依据

中文关键词： 磁性半导体；氢化；Rashiba自旋轨道耦合；反常霍尔效应；

英文摘要：

英文关键词： Magnetic semiconductor；Hydrogenation；Rashiba spin-orbit coupling；Anomalous Hall effect；