典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究

项目名称： 典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究

项目编号： No.60906051

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 游海龙

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 高功率微波（High power microwave，HPM）能够造成半导体器件的失效，进而影响电子系统的正常工作。随着电子系统的受电磁环境影响以及HPM作为一种武器的应用，对典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理进行研究具有重要意义。本项目通过器件的HPM试验、失效分析、失效机理研究与仿真验证等方法，将HPM效应试验、器件失效模式与半导体器件物理理论结合，研究典型深亚微米半导体器件的HPM效应，以获得典型深亚微米半导体器件的HPM源特性（微波频率、脉冲宽度、脉冲重复频率）与典型器件的失效阈值的关系模型、典型深亚微米半导体器件的主要失效模式及其物理机理模型。研究结果将对半导体器件在高功率微波电磁环境下工作的物理基本理论做出贡献，为半导体器件与电子系统的抗HPM辐照设计方法的研究提供理论指导。

中文关键词： 高功率微波；半导体器件；失效阈值；失效机理；闩锁

英文摘要：

英文关键词： High power microwave；semiconductor devices；failure threshold；failure mechanism；latch-up