硅表面砷钝化的量子途径和碲镉汞选择生长的机理

项目名称： 硅表面砷钝化的量子途径和碲镉汞选择生长的机理

项目编号： No.60976092

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 陈效双

作者单位： 中国科学院上海技术物理研究所

项目金额： 36万元

中文摘要： 基于HgCdTe材料的第三代焦平面技术已成为当前该领域国际竞争的焦点，需要在微观尺度上对HgCdTe的硅基异质生长从量子物理的角度进行认识。为此本项目将从理论上围绕硅基异质生长动力学的量子机理开展相应的应用基础研究：（1）通过第一性原理研究吸附物与表面的相互作用、结合类型、成键取向和电子特性的变化，澄清Si(211)基底表面的重构形式和As钝化的微观途径；（2） 通过第一性原理的总能计算，弄清As原子是如何在硅衬底上抑制II-VI族化合物的A面生长和有利于B面生长的机理，从而弄清非极性的硅衬底上如何形成符合极性化合物的有序分布。（3）通过比较分析电荷性对异质外延生长的影响，确定钝化的过程对外延生长的作用，利用键长、键角和非对称性特性与实验参数比较，明确不同缓冲层对HgCdTe生长的影响，揭示HgCdTe材料Si基As钝化表面选择性生长的机理，为Si基碲镉汞材料外延生长提供微观的支撑作用。

中文关键词： 红外焦平面材料；砷钝化；碲镉汞材料；选择性生长；原子吸附和置换

英文摘要：

英文关键词： Infrared focal plan materials；Arsenic passivation；HgCdTe materials；Selective growth；Absorption and replacement