重复频率半导体脉冲功率开关RSD的强场效应与关键技术研究

项目名称： 重复频率半导体脉冲功率开关RSD的强场效应与关键技术研究

项目编号： No.50907025

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 建筑科学

项目作者： 梁琳

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 基于PIN模型下强场的雪崩等离子体碰撞效应和等离子体的集肤效应，通过利用导通延迟等于零和预充电流与主电流电极具有几何上合并的特点，根据预充电荷的解析条件、采用降低单只阻断电压而增加串联数目的思路，由多单元并联结构、强漂移场下工作模式，研究高电流的开通和关断在芯片中全面积同时发生的技术关键。为多芯片并联实现400kA以上开关电流提供理论依据和技术支撑，为高功率密度、重复频率脉冲功率开关反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)的设计、制造及应用提供试验依据和系列技术。

中文关键词： 反向开关晶体管；脉冲功率；重复频率；开关；半导体

英文摘要：

英文关键词： reversely switched dynistor；pulsed power；repetitive frequency；switch；semiconductor