电场激励条件下VO2薄膜非均匀相变的演化机制及相变速度调控研究

项目名称： 电场激励条件下VO2薄膜非均匀相变的演化机制及相变速度调控研究

项目编号： No.11404226

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 施奇武

作者单位： 四川大学

项目金额： 30万元

中文摘要： VO2的超快半导体-金属相转变速度是其在高速光电器件中应用的基础。针对目前VO2薄膜的相变速度快慢不一，尤其是电致相变速度过慢的问题，提出研究外加电场条件下VO2薄膜在微观尺度上的非均匀相变现象，并计划通过改善薄膜的相变均匀性，提高其相变速度。本项目将研究电场激励条件下VO2的非均匀相变形成和演化机制，以及这种相变非均匀性与薄膜相变速度的关联性；系统分析微观结构、化学组成（+4价钒氧化物比例、元素单一掺杂或复合掺杂条件）和内应力等对薄膜相变均匀性的影响规律，并在此基础上，通过对VO2薄膜微观结构参数、组成和内应力状态的可控调整和综合优化设计，改善其相变均匀性，从而提高薄膜的相变速度，进而为VO2薄膜在THz波开关、调制、存储等功能器件领域的应用提供基础，促进其发展。

中文关键词： 二氧化钒；相变；电场激发；微观结构；均匀性

英文摘要： The ultrafast semiconductor-metal phase transition of vanadium dioxide (VO2) is the foundation for its application in high-speed optoelectronic devices. In order to improve the transition speed of electric field triggered phase transition in VO2 film, we

英文关键词： vanadium dioxide；phase transition；eletric field excitation；microstructure；homogeneity