基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究

项目名称： 基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究

项目编号： No.61176047

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 杨涛

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 74万元

中文摘要： 面对我国国民经济发展的战略需求和国外科学技术发展的最新前沿，以发展新一代高速光通信系统用低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光光源为总目标，开展新型高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料MOCVD生长及激光器应用相关基础研究。通过对1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长过程与机理、基本物理特性以及基于它们的激光器性能的研究，结合相关理论研究与分析，探索新的材料生长机制与技术、新的物理现象以及新的器件原理，解决一些基本物理问题和关键技术，为实现高性能的1.55微米量子点激光器提供必要的物理基础和关键技术，提升我国的自主创新能力和在国际上的竞争能力，为我国的科学技术和光通信事业的发展作贡献。

中文关键词： 砷化铟；磷化铟；量子点；激光器；超短脉冲

英文摘要：

英文关键词： InAs；InP；quantum dots；laser diodes；utrashort pulsed