稀磁锗(Ge)介观量子环的光电磁特性研究

项目名称： 稀磁锗(Ge)介观量子环的光电磁特性研究

项目编号： No.60976071

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 马锡英

作者单位： 绍兴文理学院

项目金额： 36万元

中文摘要： 应用化学气相沉积方法生长Ge纳米量子环，并在其生长过程中运用Mn、Co等铁磁性原子进行稀磁掺杂。以稀磁Ge介观量子环为研究对象，系统研究量子环尺寸和生长条件等对稀磁掺杂浓度和居里温度的影响，结合晶体掺杂理论，研究稀磁掺杂机理，实现纳米环的高浓度掺杂和高居里温度；进而研究稀磁浓度对纳米环发光、隧穿等光电输运特性的影响。在此基础上，深入研究纳米环在电磁场中的电阻温度、磁阻、反常霍尔效应等稀磁输运特性，获得纳米环中载流子与磁性粒子间的交互作用，探究介观量子环中电子自旋的传导、隧穿和注入等自旋的输运特性。最终获得高居里温度且具有良好电磁输运特性的半导体纳米环，丰富纳米稀磁理论，促进纳米新材料、纳米自旋电子新器件的发展和广泛应用，推动我国稀磁半导体、自旋电子学方面的理论创新、学术发展与实际应用。

中文关键词： Ge量子点；Ge量子环；PECVD生长；锰掺杂；电磁学特性

英文摘要：

英文关键词： Ge quantum dots；Ge quantum rings；PECVD fabrication；Mn doping；electromagnetic properties