应变硅/硅锗微细特征单元结构失稳及应变弛豫研究

项目名称： 应变硅/硅锗微细特征单元结构失稳及应变弛豫研究

项目编号： No.50901057

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 化学工业

项目作者： 马飞

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 当微电子晶体管发展到45纳米节点技术，完全依靠传统的材料特征尺寸等比例缩小来提高器件性能的方式已不能满足需求。如何在降低芯片动态功耗的同时极大地提升载流子迁移率成为微电子器件延续摩尔定律发展的关键问题。应变硅基薄膜材料应运而生，并成为物理学界、材料学界和工程界备受关注的研究热点之一。然而，应变硅基薄膜本身就处于热力学非稳定状态，具有向稳定状态转变的趋势。尤其是对于特征尺寸仅为数十纳米的微细功能单元，表/界面效应愈发凸显，其附加能量和应力容易引起结构失稳及伴随的应变弛豫。本项目拟以应变硅/应变硅锗合金为例，结合理论模拟和实验表征探讨微细图案化可能导致的结构失稳行为及特殊的应变弛豫途径，阐明内在的物理机制，明确由此可能造成器件功能特性异化的制约因素，探索可有效调控应变弛豫的方法，为高密度、高速、高可靠性微电子器件的设计制造奠定材料学理论和技术基础。

中文关键词： 应变效应；应变弛豫；微细图案化；单晶硅；

英文摘要：

英文关键词： strain effect；strain relaxation；patterning；silicon；