基于激发态激射的高速1.3微米InAs/GaAs量子点激光器

项目名称： 基于激发态激射的高速1.3微米InAs/GaAs量子点激光器

项目编号： No.61204057

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 季海铭

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 28万元

中文摘要： 1.3微米InAs/GaAs量子点激光器因其低成本、低功耗、高热稳定性等优点有望成为局域网光通信系统和高速信息交换系统所需的关键光源。量子点激光器的高速调制主要基于基态激射，但受限于基态较低的态密度和较长的载流子注入过程，其调制速率的进一步提高面临瓶颈。量子点的激发态具有更高的简并度和更快的载流子动力学过程，并且易于达到载流子数反转和激射，为进一步提升量子点激光器的调制速率提供了一种新途径。本项目拟充分利用量子点激发态的这些优势，开展基于激发态激射高速1.3微米InAs/GaAs量子点激光器的研究：通过InAs/GaAs量子点外延生长和相关机理的研究、量子点激发态发光波长的调控、量子点激光器激发态最大调制带宽的限制因素和作用机制的速率方程模型分析，探索新概念、新方法和新的器件原理，实现面向高速光通信和信息交换的高速1.3微米量子点激光器。

中文关键词： 量子点；激发态；激光器；；

英文摘要： 1.3 micron InAs/GaAs quantum dot lasers are considered as next-generation key light sources in the LAN (local area networks) and high speed data exchange systems, because of the possibility to realize low cost, low power consumption and high thermal stabi

英文关键词： quantum dot；excited-state；laser；；