基于氮化硅基质的硅量子点的低温生长及其性能研究

项目名称： 基于氮化硅基质的硅量子点的低温生长及其性能研究

项目编号： No.51362031

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 杨培志

作者单位： 云南师范大学

项目金额： 51万元

中文摘要： 高效、低成本是太阳电池的发展目标。硅（Si）量子点材料由于具有带隙可调等特点，有望在第三代高效太阳电池中获得应用，因此，研究其低温生长机制以实现与现有的硅薄膜电池工艺相兼容具有十分重要的意义。本项目拟采用PECVD技术结合快速光热退火技术实现氮化硅基质中硅量子点的低温生长。理论上，根据成核生长理论和光热退火机制，结合热力学和动力学过程的分析以及掺杂形成能的计算，研究Si量子点的低温生长机制和掺杂机制。实验上，开展Si量子点低温生长和掺杂研究，采用PECVD生长方法结合快速光热退火技术，找出影响Si量子点低温生长的关键因素和实现低温掺杂的途径，最终获得硅量子点的低温生长技术；同时，开展掺杂Si量子点的结构和光电性能研究，建立微结构与光电性能间的对应关系；通过电池设计与制作，验证硅量子点性能。本项目的研究将揭示以PECVD技术为基础的Si量子点低温生长和掺杂机制，为新一代高效太阳电池奠定基础。

中文关键词： 硅量子点；太阳电池；掺杂；多层膜；微波退火

英文摘要： Efficient and cost effective is the goal of PV development. Silicon (Si) quantum dots are expected to be applied in the third generation of highly efficient solar cells due to a feature of adjustable band gap. To study its growth mechanism at low-temperat

英文关键词： Si Quantum Dots；Solar cells；doping；multilayers；microwave annealing