氧化锡低维结构中激子发光的量子调控与紫外发光器件研究

项目名称： 氧化锡低维结构中激子发光的量子调控与紫外发光器件研究

项目编号： No.11374309

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 潘书生

作者单位： 中国科学院合肥物质科学研究院

项目金额： 89万元

中文摘要： 本项目采用物理气相沉积和原子层沉积技术生长高量子效率激子发光SnO2量子点和超薄薄膜，构建SnO2同质结发光器件；研究SnO2低维结构中激子、表面态和缺陷相关的发光性能，探讨低维限域效应对激子发光效率的量子调控作用；研究量子点尺寸、形状和密度，超薄薄膜厚度等与激子发光峰位、宽度和量子效率的变化关系；可变环境原位研究SnO2低维结构中与表面态和缺陷发光性能，揭示发光峰来源，确定能级位置和激活能大小，建立低维结构的尺度、形态与表面态或缺陷发光峰强度之间的关系；设计构建基于SnO2低维结构同质结器件，获得紫外电致发光，揭示环境、温度、电极等对器件性能的影响。SnO2具有带隙宽、激子结合能高、光电性能优异和物化性质非常稳定等特点，非常适合构建下一代非极性紫外光电子器件。研究SnO2低维结构高效率激子发光具有重要的科学意义和应用价值，通过本项目的实施将为SnO2基深紫外光电子器件的实现奠定一定基础。

中文关键词： 氧化锡；光电器件；紫外；发光材料；量子点

英文摘要： The aim of this project is to grow the SnO2 quantum dots (QDs) and ultra-thin films (UTF) with high quantum yield (QY) exciton emission by physical vapor deposition and atomic layer deposition technique, upon which to build the SnO2-based homo-junction li

英文关键词： SnO2；Optoelectronic Devices；Ultravoilet；Luminescence Materials；Quantum Dots