非易失性D-A型高分子信息存储功能材料的设计和制备

项目名称： 非易失性D-A型高分子信息存储功能材料的设计和制备

项目编号： No.21404037

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 张斌

作者单位： 华东理工大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 非易失性电阻型随机存储器（RRAM）技术的发展对于电子工业的持续创新具有举足轻重的作用，而支撑这一技术的重要基础是创新设计具有可控电子性质的新型功能材料。该技术的基本原理是器件在外加电场的作用下利用高/低阻态变化实现二进制“0,1”编码。以高分子材料制备阻变存储器件，为超大规模集成电路的发展提供了一个新的思路。与硅基材料相比，高分子材料有明显的优势，它容易加工、成本低、功耗小、重量轻、体积小、存储密度高，可以三维堆积，甚至可以大面积‘刷涂’在玻璃、塑料和集成电路上，还能根据需要对分子结构进行精心剪裁，调控材料和相应器件的存储性能。本项目拟设计和合成一系列非易失性可溶性D-A型高分子信息存储功能材料。探索材料的基本结构、电子迁移现象、器件性能之间的构效关系，为原型器件的构建奠定理论和技术基础。

中文关键词： 高分子阻变材料；非易失性存储；D-A型高分子；共价修饰；柔性器件

英文摘要： Among the emerging memory technologies, resistive random access memory (RRAM), which stores binary digital data by encoding “0” and “1” as the low (OFF) and high (ON) resistance states in response to the external electric field, is of great importance for

英文关键词： resistive polymer memory materials；nonvolatile memory effect；donor-accptor type polymer；covalent modification；flexible device