超低介电PMO薄膜的可控制备及构效关系研究

项目名称： 超低介电PMO薄膜的可控制备及构效关系研究

项目编号： No.21201175

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 张国平

作者单位： 中国科学院深圳先进技术研究院

项目金额： 25万元

中文摘要： 开发超低介电常数层间介质材料是目前克服超大规模集成电路（USIC）中信号传输延时、噪声干扰增强和功率耗散等问题的关键。有序介孔有机硅（PMO）材料在降低本体介电常数方面具有显著的优势，可作为超低介电层间介质在USIC中获得应用。解决其孔隙率偏低、耦合效应明显以及力学强度较差等问题是PMO材料在USIC中获得实际应用的关键。本项目从有机桥联基团R的结构设计出发制备星型有机桥联硅氧烷前驱体分子(R'O)3Si-R-Si(OR')3，利用旋转涂布-蒸发诱导自组装方法制备新型PMO介孔薄膜。通过不同结构尺寸的桥联有机基团R在介孔壁中降解致孔调控薄膜的孔隙率、耦合效应、介电性以及力学强度等综合性能，从微观领域构建薄膜孔隙率与介电常数、机械强度等的构效关系模型，为开发满足USIC工艺的超低介电常数介质材料提供理论支撑和基础实验数据。

中文关键词： 低介电；模板法；有序介孔有机硅；力学强度；可控

英文摘要： The development of ultra large scale integrated circuit (USIC) is confronted with some serious problems, such as signal delay, increased noise interference and power dissipation, etc. The key to overcome such issues is to develop new interlayer materials

英文关键词： low dielectric；template method；periodic mesoporous organosilica；mechanical strength；controllable