Si(110)衬底上杂质分凝肖特基结源漏形成及其机理研究

项目名称： Si(110)衬底上杂质分凝肖特基结源漏形成及其机理研究

项目编号： No.60976074

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 蒋玉龙

作者单位： 复旦大学

项目金额： 35万元

中文摘要： 常规Si(100)衬底MOS器件pn结源漏结深和接触面积日益减小，导致源漏延伸区电阻和与硅化物的接触电阻迅速增大。应用肖特基结源漏可以显著降低这些源漏相关寄生电阻，但其却面临开态电流小、关态漏电大的问题，因而急需开展新型肖特基结源漏技术研究。Si(110)衬底因可显著提高空穴迁移率，正在成为新型纳米CMOS集成电路制造的优选载体。为此本项目拟在Si(110)衬底上开展杂质分凝肖特基结源漏技术研究，在降低寄生电阻的同时充分调制势垒，提高开关电流比。项目将探索杂质分凝肖特基结势垒高度调制的机理；探索Si(110)衬底上硅化反应和相应杂质分凝规律；优化这种新技术中杂质的引入方式。通过探索揭示杂质分凝肖特基结势垒高度调制机理，掌握Si(110)衬底上的硅化反应规律和相应杂质分凝规律，确定最优化杂质引入方式及其机理，最终在Si(110)衬底上研制出杂质分凝肖特基结源漏MOS场效应晶体管原型器件。

中文关键词： 肖特基结源漏；杂质分凝；势垒调制；硅化反应；Si(110)衬底

英文摘要：

英文关键词： Schottky barrier source/drain；dopant segregation；Schottky barrier height modula；silicidation；Si(110) substrate