GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件

项目名称： GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件

项目编号： No.60976015

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 王海龙

作者单位： 曲阜师范大学

项目金额： 40万元

中文摘要： InP基1.55微米InAs/InGaAsP自组装量子点是具有独特光电性质的可用于光纤通信的新型量子材料。本项目对气态源分子束外延(GSMBE)生长的InAs/InGaAsP自组装量子点材料的光电性质进行细致研究，探索如何有效地控制量子点材料的发光波长和提高发光效率。通过量子点结构生长动力学研究阐明InAs/InGaAsP量子点的物理机制，对量子点之间的耦合、极化控制以及量子点的热稳定性等问题进行探讨。深入研究量子点的载流子动力学，理解载流子在电场和光注入条件下的输运特性，建立相关物理模型。在已经研制出室温下连续激射1.55微米量子点激光器基础上，对器件的新颖特性进行细致研究，挖掘其中的物理内涵。根据器件结果的反馈，开展材料与器件关系的研究，进一步优化材料结构和器件工艺，提高器件特性，在此基础上设计并制作1.55微米自锁模量子点激光器。项目的开展无论从物理还是器件应用角度都具有重要的价值。

中文关键词： 气态源分子束外延；InAs/InGaAsP；自组装量子点；量子点激光器；量子点外腔激光器

英文摘要：

英文关键词： GSMBE；InAs/InGaAsP；self-assembly quantum dot；quantum dot lasers；tunable external cavity laser